Терраэлектроника

M29W800DB70N1, ST Microelectronics

Энергонезависимая память - Примечания: Микросхема Flash памяти. Емкость 8 Мбит (1Мбх8 или 512Кбх16). В корпусе TSOP48. Время обращения 70 нс. Напряжение питания от 2,7 до 3,6 V. Температурный диапазон 0/+70 С.


Параметры M29W800DB70N1

НаименованиеM29W800DB70N1
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул188128
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом