Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

HGTG18N120BND, Fairchild Semiconductor Corp.

IGBT, N, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max54A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation390W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateSOT-249
Current, Ic @ Vce Sat18A
Current, Icm Pulsed160A
Device MarkingHGTG18N120BND
Power, Pd390W
Time, Rise22ns
Voltage, Vceo1200V


HGTG18N120BND, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры HGTG18N120BND

Наименование HGTG18N120BND
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 188043
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Изображения HGTG18N120BND

HGTG18N120BND, Fairchild Semiconductor Corp. HGTG18N120BND, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
222,00 руб
Наличие на складе
1 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом