Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD127G, On Semiconductor

DARLINGTON TRANSISTOR, D-PAK

Transistor TypeBipolar Darlington
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max8A
Voltage, Vce Sat Max-2V
Power Dissipation1.75W
Hfe, Min1000
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Current, Ic Max8A
Current, Ic av8A
Current, Ic hFE4A
Depth, External10.5mm
Device MarkingMJD127
Length / Height, External2.55mm
Marking, SMDMJD127
Pins, No. of3
Power, Ptot20W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo100V
Width, External6.8mm
ft, Min4MHz


MJD127G, On Semiconductor

Параметры MJD127G

НаименованиеMJD127G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул187534
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD127G, доступные на складе

  • Изображение  MJD127T4

    MJD127T4
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 4 В; IК(макс): 8 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 4 МГц

  • Изображение  MJD127T4G

    MJD127T4G
    ONS

    Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Continuous Collector Current, Ic:8A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):4V; Power Dissipation, Pd:25W

Изображения MJD127G

MJD127G, On Semiconductor MJD127G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
18,00 руб
от 75 шт. 15,80 руб
от 225 шт. 13,50 руб
от 450 шт. 12,40 руб
Наличие на складе
2897 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом