Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD117T4G, On Semiconductor

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor


MJD117T4G, On Semiconductor

Параметры MJD117T4G

Наименование MJD117T4G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 187257
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги MJD117T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ONS

    TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -2A, TO-252

  • Изображение  MJD117G

    MJD117G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

Изображения MJD117T4G

MJD117T4G, On Semiconductor MJD117T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
16,90 руб
от 204 шт. 14,50 руб
от 443 шт. 13,30 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом