Терраэлектроника

MJD117T4G, On Semiconductor

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor


MJD117T4G, On Semiconductor

Параметры MJD117T4G

НаименованиеMJD117T4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул187257
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD117T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ONS

    TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -2A, TO-252

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

  • Изображение  MJD117G

    MJD117G
    ONS

    2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Изображения MJD117T4G

MJD117T4G, On Semiconductor MJD117T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
16,50 руб
от 84 шт. 14,50 руб
от 243 шт. 12,50 руб
от 528 шт. 11,50 руб
Наличие на складе
2 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом