Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD117T4G, On Semiconductor

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor


MJD117T4G, On Semiconductor

Параметры MJD117T4G

Наименование MJD117T4G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 187257
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD117T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ONS

    TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -2A, TO-252

  • Изображение  MJD117G

    MJD117G
    ONS

    2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

Изображения MJD117T4G

MJD117T4G, On Semiconductor MJD117T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
17,10 руб
от 81 шт. 14,90 руб
от 236 шт. 12,80 руб
от 514 шт. 11,80 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом