Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

DRV5053EAQDBZT, DRV5053, Texas Instruments

RND Рекомендуется для новых разработок

DRV5053EAQDBZT - датчик магнитного поля.

Технические характеристики:

  • Напряжение питания: 2,5-38 В
  • Выходное напряжение: 0,2-1,8 В
  • Встроенная защита от подачи напряжения питания: - 22 В
  • Защита от бросков напряжения: + 40 В
  • Чувствительность: -11 mV/mT (OA)/ -23 mV/mT (PA) / -45 mV/mT (RA) / -90 mV/mT (VA) / +23 mV/mT (CA) / +45 mV/mT (EA)
  • Монтаж: SMD

Описание DRV5053 с сайта производителя

Семейство: DRV5053 2.5 to 38 V Analog Bipolar Hall Effect Sensor
Package Group SOT-23,TO-92
Output 0.2 V to 1.8 V
Operating Temperature Range(C) -40 to 125
Sensitivity(Typ)(mV/mT) -11,-23,-45,-90,+23,+45
Supply Voltage (Vcc)(Min)(V) 2.5
Application Industrial
Type Analog Bipolar
Supply Voltage (Vcc)(Max)(V) 38
Bandwidth(kHz) 10
Package Size mm2:W x L (PKG) : 3SOT-23: 4 mm2: 1.3 x 2.92(SOT-23),3TO-92: 13 mm2: 3.15 x 4(TO-92)

DRV5053EAQDBZT, Texas Instruments

Параметры DRV5053EAQDBZT

Наименование DRV5053EAQDBZT
Производитель Texas Instruments (TI)
Артикул 1871804
Тип
Корпус
Мин. температура, °C
Макс. температура, °C
Iвых макс, мА
Uп, В
Кол-во выводов
Напряжение питания Мин

Документация для DRV5053EAQDBZT

Средства разработки для DRV5053EAQDBZT

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
47,60 руб
от 73 шт. 40,80 руб
от 158 шт. 37,40 руб
Наличие на складе
355 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом