Терраэлектроника

DA108S1RL, ST Microelectronics

Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 4; Uпорог: 18 В; Iутеч: 2 мкА; Примечание: DIODE ARRAY; Траб: -55...150 °C


DA108S1RL, ST Microelectronics

Параметры DA108S1RL

НаименованиеDA108S1RL
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул186806
Корпус
Кол-во защищаемых линий (каналов)
Пороговое напряжение
Тmin,°C
Тмакс,°C
Серия
Тип
Обратное напряжение Vrwm
Кол-во выводов

Аналоги DA108S1RL, доступные на складе

  • Изображение  DA108S1

    DA108S1
    ST

    Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 4; Uпорог: 18 В; Iутеч: 2 мкА; Примечание: DIODE ARRAY; Траб: -55...150 °C

Изображения DA108S1RL

DA108S1RL, ST Microelectronics DA108S1RL, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
18,50 руб
Наличие на складе
6884 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом