Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRL3705NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N LOGIC TO-263

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont89A
Resistance, Rds On0.01ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ3600pF
Charge, Gate N-channel98nC
Current, Iar46A
Current, Idm Pulse310A
Current, Idss Max25чA
Depth, External15.49mm
Energy, Avalanche Repetitive Ear1.7mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas340mJ
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMDL3705NS
Power Dissipation170W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd170W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.01ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.9°C/W
Time, Fall78ns
Time, Rise140ns
Time, trr Typ94ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs Rds N Channel10V
Voltage, Vgs th Max2V
Voltage, Vgs th Min1V
Width, External10.16mm


IRL3705NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRL3705NS

Наименование IRL3705NS
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 186802
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRL3705NS, доступные на складе

  • Изображение  IRL3705NSPBF

    IRL3705NSPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 55V, 89A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:89A; Resistance, Rds On:0.01ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:3600pF; Case Style, Alternate:D2-PAK; Charge, Gate N-channel:98nC; Current, Iar:46A; Current, Idm Pulse:310A; Current, Idss Max:25чA; Depth, External:15.49mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:1.7mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:340mJ; Length / Height, External:4.69mm; Marking, SMD:L3705NS; Power Dissipation:170W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

  • Изображение  IRL3705NSTRLPBF

    IRL3705NSTRLPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    40V-75V N-Channel Power MOSFET,

Изображения IRL3705NS

IRL3705NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3705NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3705NS, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
115,00 руб
от 13 шт. 100,00 руб
от 36 шт. 85,50 руб
от 78 шт. 78,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом