Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRLD110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, LOGIC, HEXDIP

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont1A
Resistance, Rds On0.54ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement5V
Voltage, Vgs th Typ2V
Case StyleHEXDIP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse8A
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Voltage, Vds Max100V


IRLD110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRLD110PBF

Наименование IRLD110PBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 186729
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
24,60 руб
от 140 шт. 21,10 руб
от 300 шт. 19,40 руб
Наличие на складе
2156 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом