Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC40W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max40A
Voltage, Vce Sat Max2.5V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed160A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall74ns
Time, Fall Max74ns
Time, Rise22ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC40W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC40W

Наименование IRG4BC40W
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 186625
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC40W, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC40WPBF

    IRG4BC40WPBF
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:160A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
245,00 руб
от 6 шт. 215,00 руб
от 17 шт. 184,00 руб
от 37 шт. 169,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом