Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC40W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max40A
Voltage, Vce Sat Max2.5V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed160A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall74ns
Time, Fall Max74ns
Time, Rise22ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC40W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC40W

НаименованиеIRG4BC40W
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул186625
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC40W, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC40WPBF

    IRG4BC40WPBF
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:160A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
231,00 руб
от 6 шт. 202,00 руб
от 17 шт. 174,00 руб
от 37 шт. 159,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом