Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SKW25N120, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, FAST TUBE 30

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max46A
Voltage, Vce Sat Max3.6V
Power Dissipation313W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Ic @ Vce Sat25A
Current, Icm Pulsed84A
Pins, No. of3
Power, Pd313W
Power, Ptot313W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, Fall39ns
Time, Rise40ns
Voltage, Vceo1200V


SKW25N120, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры SKW25N120

НаименованиеSKW25N120
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул186466
Корпус

Аналоги SKW25N120, доступные на складе

  • Изображение  STGW30NC120HD

    STGW30NC120HD
    ST

    Склад (1-2 дн)

    IGBT транзистор - [TO-247-3]; Примечание: IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V;…

  • Изображение  SKW25N120FKSA1

    SKW25N120FKSA1
    INFIN

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode, Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies.

Изображения SKW25N120

SKW25N120, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) SKW25N120, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
656,00 руб
от 3 шт. 574,00 руб
от 6 шт. 492,00 руб
от 13 шт. 452,00 руб
Наличие на складе
44 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом