Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFBE30SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 800V, 4.1A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ800V
Current, Id Cont4.1A
Resistance, Rds On1.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse16A
Power Dissipation125W
Power, Pd130W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V1.2ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1°C/W
Voltage, Vds600V
Voltage, Vds Max600V
Voltage, Vgs th Max4V


IRFBE30SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFBE30SPBF

НаименованиеIRFBE30SPBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул186285
Корпус

Изображения IRFBE30SPBF

IRFBE30SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFBE30SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFBE30SPBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
97,50 руб
от 14 шт. 85,50 руб
от 40 шт. 73,50 руб
от 100 шт. 67,50 руб
Наличие на складе
159 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом