Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB4710PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, 75A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont75A
Resistance, Rds On0.014ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse300A
Pins, No. of3
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on Max0.014ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.74°C/W
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4.5V


IRFB4710PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB4710PBF

Наименование IRFB4710PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 185688
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB4710PBF, доступные на складе

  • Изображение  IPP126N10N3GXKSA1

    IPP126N10N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

  • Изображение  IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF
    INFIN

    MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:97A; Resistance, Rds On:0.009ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4410; Charge, Gate N-channel:83nC; Current, Idm Pulse:390A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB4710

    IRFB4710
    INFIN

    Полевой транзистор. 100V. 75A.

  • Изображение  IPP12CN10LGXKSA1

    IPP12CN10LGXKSA1
    INFIN

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

  • Изображение  IRFB4610PBF

    IRFB4610PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:73A; Resistance, Rds On:11mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:3550pF; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:290A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:370mJ; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Pins, No.…

Изображения IRFB4710PBF

IRFB4710PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB4710PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
104,00 руб
от 14 шт. 90,50 руб
от 39 шт. 77,50 руб
от 100 шт. 71,00 руб
Наличие на складе
254 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом