Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PF50WDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 900V, 51A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces900V
Current, Ic Continuous a Max51A
Voltage, Vce Sat Max2.25V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed204A
Device MarkingIRG4PF50WDPBF
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall220ns
Time, Fall Max190ns
Time, Rise52ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo900V


IRG4PF50WDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PF50WDPBF

Наименование IRG4PF50WDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 185686
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRG4PF50WDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PF50WD-201P

    IRG4PF50WD-201P
    INFIN

    IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz

  • Изображение  IRG4PF50WD

    IRG4PF50WD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:51A; Voltage, Vce Sat Max:2.25V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:204A; Pins, No.…

  • Изображение  IRGB20B60PD1PBF

    IRGB20B60PD1PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 40A, TO-220AB; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

Изображения IRG4PF50WDPBF

IRG4PF50WDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PF50WDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
381,00 руб
от 4 шт. 334,00 руб
от 11 шт. 286,00 руб
от 25 шт. 263,00 руб
Наличие на складе
1004 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом