Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PF50WDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 900V, 51A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces900V
Current, Ic Continuous a Max51A
Voltage, Vce Sat Max2.25V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed204A
Device MarkingIRG4PF50WDPBF
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall220ns
Time, Fall Max190ns
Time, Rise52ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo900V


IRG4PF50WDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PF50WDPBF

НаименованиеIRG4PF50WDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул185686
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRG4PF50WDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRGB20B60PD1PBF

    IRGB20B60PD1PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 40A, TO-220AB; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

  • Изображение  IRG4PF50WD-201P

    IRG4PF50WD-201P
    INFIN

    IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, WARP 30-150 kHz

  • Изображение  IRG4PF50WD

    IRG4PF50WD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:51A; Voltage, Vce Sat Max:2.25V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:204A; Pins, No.…

Изображения IRG4PF50WDPBF

IRG4PF50WDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PF50WDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
339,00 руб
от 4 шт. 297,00 руб
от 12 шт. 254,00 руб
от 25 шт. 234,00 руб
Наличие на складе
209 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом