Терраэлектроника

MJD117G, On Semiconductor

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor


MJD117G, On Semiconductor

Параметры MJD117G

НаименованиеMJD117G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул183638
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD117G, доступные на складе

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ONS

    TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -2A, TO-252

  • Изображение  MJD117T4G

    MJD117T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

Изображения MJD117G

MJD117G, On Semiconductor MJD117G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
22,30 руб
от 61 шт. 19,50 руб
от 150 шт. 16,70 руб
от 375 шт. 15,40 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом