Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD117G, On Semiconductor

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor


MJD117G, On Semiconductor

Параметры MJD117G

Наименование MJD117G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 183638
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги MJD117G, доступные на складе

  • Изображение  MJD117T4G

    MJD117T4G
    ONS

    2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ONS

    TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -2A, TO-252

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

Изображения MJD117G

MJD117G, On Semiconductor MJD117G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
22,40 руб
от 150 шт. 19,20 руб
от 300 шт. 17,60 руб
Наличие на складе
500 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом