Терраэлектроника

MJD117G, On Semiconductor

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor


MJD117G, On Semiconductor

Параметры MJD117G

НаименованиеMJD117G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул183638
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD117G, доступные на складе

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

  • Изображение  MJD117T4G

    MJD117T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ONS

    TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -2A, TO-252

Изображения MJD117G

MJD117G, On Semiconductor MJD117G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
13,00 руб
Наличие на складе
869 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом