Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD117G, On Semiconductor

2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor


MJD117G, On Semiconductor

Параметры MJD117G

Наименование MJD117G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 183638
Transition Frequency ft
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота

Аналоги MJD117G, доступные на складе

  • Изображение  MJD117T4G

    MJD117T4G
    ONS

    2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц

  • Изображение  MJD117T4

    MJD117T4
    ONS

    TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -2A, TO-252

Изображения MJD117G

MJD117G, On Semiconductor MJD117G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
26,20 руб
от 53 шт. 22,90 руб
от 150 шт. 19,60 руб
от 300 шт. 18,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом