Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGP50B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 75A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max75A
Voltage, Vce Sat Max2.35V
Power Dissipation390W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed150A
Device MarkingIRGP50B60PD1PBF
Power, Pd390W
Time, Rise10ns
Voltage, Vceo600V


IRGP50B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGP50B60PD1PBF

НаименованиеIRGP50B60PD1PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул183595
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRGP50B60PD1PBF, доступные на складе

Изображения IRGP50B60PD1PBF

IRGP50B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGP50B60PD1PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
275,00 руб
от 5 шт. 240,00 руб
от 15 шт. 206,00 руб
от 25 шт. 189,00 руб
Наличие на складе
7343 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом