Терраэлектроника

IRFI640G, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont9.8A
Resistance, Rds On0.18ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse39A
Pins, No. of3
Power Dissipation40W
Power, Pd40W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max200V


Параметры IRFI640G

НаименованиеIRFI640G
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул18288
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность

Аналоги IRFI640G, доступные на складе

  • Изображение  IRFI4227PBF

    IRFI4227PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantFast SwitchingVery Low Gate ChargeRepetitive Avalanche…

  • Изображение  IRFI640GPBF

    IRFI640GPBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.8A; Resistance, Rds On:0.18ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:39A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
70,50 руб
от 21 шт. 61,50 руб
от 50 шт. 52,50 руб
от 150 шт. 48,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом