Терраэлектроника

IRFI640G, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont9.8A
Resistance, Rds On0.18ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse39A
Pins, No. of3
Power Dissipation40W
Power, Pd40W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max200V


Параметры IRFI640G

НаименованиеIRFI640G
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул18288
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность

Аналоги IRFI640G, доступные на складе

  • Изображение  IRFI640GPBF

    IRFI640GPBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.8A; Resistance, Rds On:0.18ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:39A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFI4227PBF

    IRFI4227PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantFast SwitchingVery Low Gate ChargeRepetitive Avalanche…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
67,00 руб
от 21 шт. 58,50 руб
от 50 шт. 50,00 руб
от 150 шт. 46,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом