Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N6039G, On Semiconductor

4.0 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor


2N6039G, On Semiconductor

Параметры 2N6039G

Наименование 2N6039G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 181384
Корпус
Рассеиваемая мощность
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic

Аналоги 2N6039G, доступные на складе

  • Изображение  2N6039

    2N6039
    ONS

    Darlington Bipolar Transistor; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; DC Current Gain Min (hfe):100; Package/Case:SOT-32; Collector Current:4A; Collector Current @ hfe:4A; Leaded Process Compatible:Yes

  • Изображение  2N6039

    2N6039
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Примечание: DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
33,10 руб
от 43 шт. 28,90 руб
от 124 шт. 24,80 руб
от 269 шт. 22,80 руб
Наличие на складе
3453 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом