Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N6039G, On Semiconductor

4.0 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor


2N6039G, On Semiconductor

Параметры 2N6039G

Наименование 2N6039G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 181384
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги 2N6039G, доступные на складе

  • Изображение  2N6039

    2N6039
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Примечание: DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No.…

  • Изображение  2N6039

    2N6039
    ONS

    Darlington Bipolar Transistor; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; DC Current Gain Min (hfe):100; Package/Case:SOT-32; Collector Current:4A; Collector Current @ hfe:4A; Leaded Process Compatible:Yes

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
27,90 руб
от 124 шт. 23,90 руб
от 269 шт. 21,90 руб
Наличие на складе
2799 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом