Терраэлектроника

2N6039G, On Semiconductor

4.0 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor


2N6039G, On Semiconductor

Параметры 2N6039G

Наименование2N6039G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул181384
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов

Аналоги 2N6039G, доступные на складе

  • Изображение  2N6039

    2N6039
    ONS

    Darlington Bipolar Transistor; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; DC Current Gain Min (hfe):100; Package/Case:SOT-32; Collector Current:4A; Collector Current @ hfe:4A; Leaded Process Compatible:Yes

  • Изображение  2N6039

    2N6039
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Примечание: DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
32,00 руб
от 45 шт. 28,00 руб
от 130 шт. 24,00 руб
от 283 шт. 22,00 руб
Наличие на складе
1030 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом