Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FQP19N20, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, N, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont19.4A
Resistance, Rds On0.12ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Capacitance, Ciss Typ1220pF
Case Style, AlternateSOT-78B
Current, Idm Pulse78A
Device MarkingFQP19N20
Energy, Avalanche Single Pulse Eas250mJ
Pin Configurationa
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation140W
Power, Pd140W
Power, Ptot140W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.12ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, trr Typ140ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V


FQP19N20, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FQP19N20

НаименованиеFQP19N20
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул180949
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги FQP19N20, доступные на складе

  • Изображение  STP19NF20

    STP19NF20
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 15 А; Rси(вкл): 0.16 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В

  • Изображение  IPB049NE7N3GATMA1

    IPB049NE7N3GATMA1
    INFIN

    MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263-3

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
67,00 руб
от 20 шт. 58,50 руб
от 50 шт. 50,00 руб
от 150 шт. 46,10 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом