Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N5195G, On Semiconductor

TRANSISTOR, PNP, TO-126

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo80V
Current, Ic Continuous a Max4A
Voltage, Vce Sat Max-0.6V
Power Dissipation40W
Hfe, Min20
ft, Typ2MHz
Case StyleTO-126
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-65°C to +150°C
Current, Ic Max4A
Current, Ic hFE1.5A
Device Marking2N5195
Pins, No. of3
Power, Ptot40W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo80V
ft, Min2MHz


2N5195G, On Semiconductor

Параметры 2N5195G

Наименование 2N5195G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 178876
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Transition Frequency ft

Аналоги 2N5195G, доступные на складе

  • Изображение  2N5195

    2N5195
    ONS

    Bipolar Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Power Dissipation, Pd:40W; Package/Case:TO-126; C-E Breakdown Voltage:80V; Collector Current:4A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes

  • Изображение  2N5195

    2N5195
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT32]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 4 А; Pрасс: 40 Вт; Fгран: 2 МГц

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
27,50 руб
от 125 шт. 23,60 руб
от 272 шт. 21,70 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом