Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

2N5195G, On Semiconductor

TRANSISTOR, PNP, TO-126

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo80V
Current, Ic Continuous a Max4A
Voltage, Vce Sat Max-0.6V
Power Dissipation40W
Hfe, Min20
ft, Typ2MHz
Case StyleTO-126
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-65°C to +150°C
Current, Ic Max4A
Current, Ic hFE1.5A
Device Marking2N5195
Pins, No. of3
Power, Ptot40W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo80V
ft, Min2MHz


2N5195G, On Semiconductor

Параметры 2N5195G

Наименование2N5195G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул178876
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Макс. рабочая частота
Корпус
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация

Аналоги 2N5195G, доступные на складе

  • Изображение  2N5195

    2N5195
    ONS

    Bipolar Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Power Dissipation, Pd:40W; Package/Case:TO-126; C-E Breakdown Voltage:80V; Collector Current:4A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes

  • Изображение  2N5195

    2N5195
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT32]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 4 А; Pрасс: 40 Вт; Fгран: 2 МГц

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
30,10 руб
от 45 шт. 26,30 руб
от 129 шт. 22,60 руб
от 280 шт. 20,70 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом