Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR9N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont9.4A
Resistance, Rds On0.38ohm
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse38A
Marking, SMDIRFR9N20D
Power Dissipation86W
Power, Pd86W
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V


IRFR9N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFR9N20D

Наименование IRFR9N20D
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 176922
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги IRFR9N20D, доступные на складе

  • Изображение  IRFR9N20DPBF

    IRFR9N20DPBF
    INFIN

    MOSFET, N, 200V, 9.4A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.4A; Resistance, Rds On:0.38ohm;…

Изображения IRFR9N20D

IRFR9N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR9N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR9N20D, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
77,00 руб
от 45 шт. 66,00 руб
от 98 шт. 60,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом