Терраэлектроника

MMUN2111LT1G, On Semiconductor

TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23

Transistor TypeDigital Bipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo50V
Current, Ic Continuous a Max100mA
Voltage, Vce Sat Max-0.25V
Power Dissipation246mW
Hfe, Min35
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Ic Max100mA
Current, Ic hFE5mA
Marking, SMDA6A
Pin Configuration1
Pins, No. of3
Power, Ptot0.2W
Resistance, R110kohm
Resistance, R210kohm
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo50V


MMUN2111LT1G, On Semiconductor

Параметры MMUN2111LT1G

НаименованиеMMUN2111LT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул176768
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора Ic
Базовый резистор R1
База-эмиттер резистор R2
R1 / R2
Кол-во выводов

Аналоги MMUN2111LT1G, доступные на складе

  • Изображение  PDTA114ET.215

    PDTA114ET.215
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

    TRANSISTOR, RF, PNP, -50V, SOT-23-3

  • Изображение  MMUN2111LT3G

    MMUN2111LT3G
    ONS

    Транзистор со встроенным резистором смещения, биполярный (BRT)

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
0,85 руб
от 1600 шт. 0,74 руб
от 4600 шт. 0,64 руб
от 9000 шт. 0,58 руб
Наличие на складе
121083 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом