Терраэлектроника

IRFBG30PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 1000V, 3.1A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ1000V
Current, Id Cont3.1A
Resistance, Rds On5ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse12A
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation125W
Power, Pd125W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A1°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max1000V


IRFBG30PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFBG30PBF

НаименованиеIRFBG30PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул176088
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения IRFBG30PBF

IRFBG30PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFBG30PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFBG30PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
55,50 руб
от 25 шт. 48,40 руб
от 71 шт. 41,50 руб
от 150 шт. 38,10 руб
Наличие на складе
2507 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом