Терраэлектроника

FDN5618P, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, P, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-60V
Current, Id Cont1.25A
Resistance, Rds On0.17ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-1.6V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse10A
Depth, External2.5mm
Device MarkingFDN5618P
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD618
Pins, No. of3
Power Dissipation0.5W
Power, Pd0.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds60V
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max-3V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm


FDN5618P, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FDN5618P

НаименованиеFDN5618P
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул172948
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги FDN5618P, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
14,00 руб
от 97 шт. 12,50 руб
от 282 шт. 10,50 руб
от 614 шт. 9,60 руб
Наличие на складе
11959 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом