Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FDN5618P, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, P, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-60V
Current, Id Cont1.25A
Resistance, Rds On0.17ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-1.6V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse10A
Depth, External2.5mm
Device MarkingFDN5618P
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD618
Pins, No. of3
Power Dissipation0.5W
Power, Pd0.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds60V
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max-3V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm


FDN5618P, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FDN5618P

Наименование FDN5618P
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 172948
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов

Аналоги FDN5618P, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
13,50 руб
от 102 шт. 11,80 руб
от 298 шт. 10,20 руб
от 648 шт. 9,30 руб
Наличие на складе
4090 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом