Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

FDN5618P, Fairchild Semiconductor Corp.

MOSFET, P, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-60V
Current, Id Cont1.25A
Resistance, Rds On0.17ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-1.6V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse10A
Depth, External2.5mm
Device MarkingFDN5618P
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD618
Pins, No. of3
Power Dissipation0.5W
Power, Pd0.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds60V
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max-3V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm


FDN5618P, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры FDN5618P

Наименование FDN5618P
Производитель Fairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул 172948
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Кол-во выводов
Rds(on)

Аналоги FDN5618P, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
10,30 руб
от 337 шт. 8,80 руб
от 733 шт. 8,10 руб
Наличие на складе
3620 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом