Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF5210STRLPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, P, 100V, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont40A
Resistance, Rds On0.06ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateTO-262AB
Current, Idm Pulse140A
Power, Pd200W
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V


Параметры IRF5210STRLPBF

НаименованиеIRF5210STRLPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул172578
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRF5210STRLPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF5210STRRPBF

    IRF5210STRRPBF
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом