Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF5210LPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, P, 100V, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont40A
Resistance, Rds On0.06ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-262AB
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse140A
Power, Pd200W
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V


IRF5210LPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF5210LPBF

Наименование IRF5210LPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 172572
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги IRF5210LPBF, доступные на складе

Изображения IRF5210LPBF

IRF5210LPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5210LPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF5210LPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
106,00 руб
от 33 шт. 90,00 руб
от 71 шт. 83,00 руб
Наличие на складе
1 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом