Терраэлектроника

IRG4PH50UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max45A
Voltage, Vce Sat Max3.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed180A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max260ns
Time, Rise24ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50UDPBF

НаименованиеIRG4PH50UDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул171555
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PH50UDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH50UD

    IRG4PH50UD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:3.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:180A; Pins, No.…

Изображения IRG4PH50UDPBF

IRG4PH50UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
286,50 руб
от 5 шт. 250,50 руб
от 15 шт. 215,00 руб
от 32 шт. 197,00 руб
Наличие на складе
3482 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом