Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF8010PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont80A
Resistance, Rds On0.015ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse320A
Power Dissipation260W
Power, Pd260W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V15ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.57°C/W
Voltage, Vds Max100V


IRF8010PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF8010PBF

НаименованиеIRF8010PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул171379
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRF8010PBF, доступные на складе

  • Изображение  IPP12CN10LGXKSA1

    IPP12CN10LGXKSA1
    INFIN

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

  • Изображение  IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:97A; Resistance, Rds On:0.009ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4410; Charge, Gate N-channel:83nC; Current, Idm Pulse:390A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB4610PBF

    IRFB4610PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:73A; Resistance, Rds On:11mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:3550pF; Case Style, Alternate:SOT-78B; Current, Idm Pulse:290A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:370mJ; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Pins, No.…

  • Изображение  IRF8010

    IRF8010
    INFIN

    MOSFET: N, 100 В, Q1: N, 15mΩ / 10V, 80 А

  • Изображение  IPP126N10N3GXKSA1

    IPP126N10N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
68,00 руб
от 20 шт. 59,50 руб
от 50 шт. 51,00 руб
от 100 шт. 47,00 руб
Наличие на складе
844 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом