Терраэлектроника

BLT81.115, NXP SEMICONDUCTORS

RF TRANSISTOR, NPN, REEL 1K

Transistor TypeRF Bipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo9.5V
Current, Collector Continuous Ic500mA
ft, Typ900MHz
Case StyleSOT-223
Power, Dissipation Pd2W
Termination TypeSMD
Depth, External7.5mm
Length / Height, External1.7mm
Quantity, Reel1000
Transistors, No. of1
Width, External6.7mm
Current, Ic Continuous a Max0.5A
Current, Ic Max0.5A
Current, Ic av500mA
Current, Ic hFE300mA
Efficiency60%
Gain, Power Gp Min6dB
Hfe, Min25
Marking, SMDBLT81
Power, Load1.2W
Power, Ptot2W
Voltage, Supply7.5V
Voltage, Vcbo20V
Width, Tape12mm


BLT81.115, NXP SEMICONDUCTORS

Параметры BLT81.115

НаименованиеBLT81.115
ПроизводительNXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул17046
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Граничная рабочая частота
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Конфигурация и полярность
Напряжение К-Э макс.
Частота ft
Рассеиваемая мощность Pd
Ток коллектора макс. при 25°C
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения BLT81.115

BLT81.115, NXP SEMICONDUCTORS BLT81.115, NXP SEMICONDUCTORS
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
103,00 руб
от 14 шт. 90,00 руб
от 39 шт. 77,50 руб
от 84 шт. 71,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом