Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BLT81.115, NXP SEMICONDUCTORS

RF TRANSISTOR, NPN, REEL 1K

Transistor TypeRF Bipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo9.5V
Current, Collector Continuous Ic500mA
ft, Typ900MHz
Case StyleSOT-223
Power, Dissipation Pd2W
Termination TypeSMD
Depth, External7.5mm
Length / Height, External1.7mm
Quantity, Reel1000
Transistors, No. of1
Width, External6.7mm
Current, Ic Continuous a Max0.5A
Current, Ic Max0.5A
Current, Ic av500mA
Current, Ic hFE300mA
Efficiency60%
Gain, Power Gp Min6dB
Hfe, Min25
Marking, SMDBLT81
Power, Load1.2W
Power, Ptot2W
Voltage, Supply7.5V
Voltage, Vcbo20V
Width, Tape12mm


BLT81.115, NXP SEMICONDUCTORS

Параметры BLT81.115

Наименование BLT81.115
Производитель NXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул 17046
Uce/ Uds макс.
Ic макс. при 25°C
Конфигурация и полярность
Тмакс
Частота ft
Рассеиваемая мощность Pd
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Корпус

Изображения BLT81.115

BLT81.115, NXP SEMICONDUCTORS BLT81.115, NXP SEMICONDUCTORS
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
111,00 руб
от 13 шт. 97,00 руб
от 37 шт. 83,00 руб
от 81 шт. 76,50 руб
Наличие на складе
305 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом