Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SPP11N60C3, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, COOLMOS, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ650V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.38ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Temperature, Operating Range-55°C to +150°C
Current, Idm Pulse33A
Pins, No. of3
Power Dissipation125W
Power, Pd125W
Power, Ptot125W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max650V
Voltage, Vgs th Max3.9V


SPP11N60C3, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры SPP11N60C3

Наименование SPP11N60C3
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 168895
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги SPP11N60C3, доступные на складе

  • Изображение  STP13NM60N

    STP13NM60N
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.36 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл

  • Изображение  STP16NK60Z

    STP16NK60Z
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0.42 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 86 нКл

Изображения SPP11N60C3

SPP11N60C3, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) SPP11N60C3, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
87,50 руб
от 40 шт. 75,00 руб
от 100 шт. 69,00 руб
Наличие на складе
727 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом