Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRLML5103TR, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET: P, -30 В, Q1: P, 600mΩ / 10V, -0.61 А


IRLML5103TR, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRLML5103TR

Наименование IRLML5103TR
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 16823
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRLML5103TR, доступные на складе

  • Изображение  IRLML5103TRPBF

    IRLML5103TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P, MICRO3; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-30V; Current, Id Cont:-0.6A; Resistance, Rds On:0.6ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-1V; Case Style:Micro3; Termination Type:SMD

Изображения IRLML5103TR

IRLML5103TR, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLML5103TR, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
7,00 руб
от 210 шт. 6,10 руб
от 590 шт. 5,30 руб
от 1280 шт. 4,80 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом