Терраэлектроника

IRG4PF50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max51A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed204A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall220ns
Time, Fall Max220ns
Time, Rise26ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo900V


IRG4PF50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PF50W

НаименованиеIRG4PF50W
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул16676
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Корпус
Напряжение К-Э макс.

Аналоги IRG4PF50W, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PF50WPBF

    IRG4PF50WPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 900V, 51A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:900V; Current, Ic Continuous a Max:51A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:204A; Device Marking:IRG4PF50WPBF; Pins, No.…

Изображения IRG4PF50W

IRG4PF50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PF50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
329,50 руб
от 5 шт. 288,00 руб
от 13 шт. 247,00 руб
от 25 шт. 226,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом