Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PF50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max51A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed204A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall220ns
Time, Fall Max220ns
Time, Rise26ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo900V


IRG4PF50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PF50W

НаименованиеIRG4PF50W
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул16676
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение К-Э макс.

Аналоги IRG4PF50W, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PF50WPBF

    IRG4PF50WPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 900V, 51A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:900V; Current, Ic Continuous a Max:51A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:204A; Device Marking:IRG4PF50WPBF; Pins, No.…

Изображения IRG4PF50W

IRG4PF50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PF50W, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
307,00 руб
от 5 шт. 269,00 руб
от 13 шт. 230,00 руб
от 25 шт. 211,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом