Терраэлектроника

HGTG30N60A4D, Fairchild Semiconductor Corp.

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max75A
Voltage, Vce Sat Max2.6V
Power Dissipation463W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Case Style, AlternateSOT-249
Current, Icm Pulsed240A
Device MarkingHGTG30N60A4D
Pin ConfigurationWith flywheel diode
Pins, No. of3
Power, Pd463W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall38ns
Time, Fall Typ38ns
Time, Rise12s
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


HGTG30N60A4D, Fairchild Semiconductor Corp.

Параметры HGTG30N60A4D

НаименованиеHGTG30N60A4D
ПроизводительFairchild Semiconductor Corp. (FAIR)
Артикул166161
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Документация для HGTG30N60A4D

Изображения HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D, Fairchild Semiconductor Corp. HGTG30N60A4D, Fairchild Semiconductor Corp.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
320,00 руб
от 5 шт. 280,00 руб
от 13 шт. 240,00 руб
от 30 шт. 221,00 руб
Наличие на складе
318 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом