Терраэлектроника

BC817-16LT1G, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN, SOT-23

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo45V
Current, Ic Continuous a Max500mA
Voltage, Vce Sat Max0.7V
Power Dissipation300mW
Hfe, Min100
ft, Typ100MHz
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD


BC817-16LT1G, On Semiconductor

Параметры BC817-16LT1G

НаименованиеBC817-16LT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул165258
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги BC817-16LT1G, доступные на складе

Изображения BC817-16LT1G

BC817-16LT1G, On Semiconductor BC817-16LT1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,10 руб
от 1500 шт. 0,88 руб
от 4200 шт. 0,76 руб
от 9000 шт. 0,70 руб
Наличие на складе
26672 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом