Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6691, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds20V
Continuous Drain Current, Id26A
On Resistance, Rds(on)2.5ohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/CaseDirectFET MT


Параметры IRF6691

Наименование IRF6691
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 164463
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Конфигурация и полярность
Vgs для измерения Rds(on)

Документация для IRF6691

Аналоги IRF6691, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом