Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF6691, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds20V
Continuous Drain Current, Id26A
On Resistance, Rds(on)2.5ohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/CaseDirectFET MT


Параметры IRF6691

Наименование IRF6691
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 164463
Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs

Документация для IRF6691

Аналоги IRF6691, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом