Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MMBZ5V6ALT1, On Semiconductor

OBS Позиция снята с производства

TVS Diode Package/Case:SOT-23; Leaded Pr


MMBZ5V6ALT1, On Semiconductor

Параметры MMBZ5V6ALT1

Наименование MMBZ5V6ALT1
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 164344
Напряжение пробоя Мин
Корпус
Напряжение ограничения (номинальное)
Количество линий
Рассеиваемая мощность пиковая

Аналоги MMBZ5V6ALT1, доступные на складе

  • Изображение  ESDA25B1

    ESDA25B1
    ST

    LS: полупроводн.

  • Изображение  MMBZ5V6ALT1G

    MMBZ5V6ALT1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    DIODE, ZENER, 5.6V, 0.225W; Voltage, Vz:5.6V; Current, Test:20mA; Power Dissipation, Max:225mW; Termination Type:SMD; Case Style:SOT-23; Pins, No. of:3; Power, Ptot:0.225W

  • Изображение  ESDA25B1RL

    ESDA25B1RL
    ST

    Защитная ИС - [SOIC-8-3.9]; Линий: 6; Uпорог: 25 В; Iутеч: 2 мкА; Cпараз: 15 нФ; Примечание: TRANSIL ARRAY FOR ESD PROTECTION; Траб: -40...125 °C

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом