Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PH30KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max20A
Voltage, Vce Sat Max3.1V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-247
Current, Icm Pulsed40A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Typ97ns
Time, Rise79ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH30KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH30KD

НаименованиеIRG4PH30KD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул16228
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PH30KD, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH30KDPBF

    IRG4PH30KDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:3.1V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:40A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH30K-E

    IRG4PH30K-E
    INFIN

    IGBT Discretes, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

Изображения IRG4PH30KD

IRG4PH30KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH30KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
252,00 руб
от 6 шт. 221,00 руб
от 16 шт. 189,00 руб
от 34 шт. 174,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом