Терраэлектроника

M27C1001-80XF1, ST Microelectronics

Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 80 нс. Напряжение питания +5 V +/-5%. Температурный диапазон 0/+70 С.


M27C1001-80XF1, ST Microelectronics

Параметры M27C1001-80XF1

НаименованиеM27C1001-80XF1
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул16223

Аналоги M27C1001-80XF1, доступные на складе

  • Изображение  M27C1001-12F1

    M27C1001-12F1
    ST

    Энергонезависимая память - [DIP-32-C]; Тип: EPROM UV; Интерфейс: параллельный; Объём: 1 Мбит; Организация: 128Kx8; Скорость: 120ns; Напряжение: 4.5...5.5 В

  • Изображение  M27C1001-15F1

    M27C1001-15F1
    ST

    Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 150 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон 0/+70 С.

  • Изображение  TMS27C010A-12JL

    TMS27C010A-12JL
    TI

    1 048 576-Bit Programmable Read-Only Memory 32-CDIP 0 to 70

  • Изображение  M27C1001-15F6

    M27C1001-15F6
    ST

    Электрически программируемая ИМС памяти EPROM с УФ стиранием. Емкость 1 МБит (128Кбх8). В корпусе FDIP32W. Время обращения 150 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон -40/+85 С.

Показать все сопутствующие товары
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом