Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BD679, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип NPN
UКЭ(макс) 80 В
IК(макс) 4 А
Pрасс 40 Вт
h21 от 750


BD679, STMicroelectronics

Параметры BD679

НаименованиеBD679
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул16120
Корпус
Макс. рабочая частота
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.

Аналоги BD679, доступные на складе

  • Изображение  BD679AS

    BD679AS
    FAIR

    TRANSISTOR, NPN; Transistor Type:Medium Power; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:80V; Current, Ic Continuous a Max:2A; Voltage, Vce Sat Max:2.8V; Power Dissipation:40W; Hfe, Min:750; Case Style:TO-126; Termination Type:Through Hole

  • Изображение  BD679A

    BD679A
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - Примечание: SOT32 N 80V 4A 40W DARL

  • Изображение  BD679G

    BD679G
    ONS

    Составной транзистор Дарлингтона, биполярный

Сопутствующие товары для BD679

  • Изображение  BD680

    BD680
    CDIL

    DARLINGTON TRANSISTOR, TO-126; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:60V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:40W; Hfe, Min:750; Case Style:TO-126; Termination Type:Through Hole; Current, Ic Max:4A; Current, Ic av:4A; Current, Ic hFE:1.5A; Pins, No.…

  • Изображение  BD680

    BD680
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 4 А; Pрасс: 40 Вт; h21: от 750

Изображения BD679

BD679, STMicroelectronics BD679, STMicroelectronics BD679, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
12,30 руб
от 100 шт. 10,80 руб
от 300 шт. 9,20 руб
от 700 шт. 8,50 руб
Наличие на складе
1680 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом