Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BSP75N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, SMART SWITCH, SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont1.1A
Resistance, Rds On0.5ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.1V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Depth, External7mm
Length / Height, External1.6mm
Power, Pd1.5W
Transistors, No. of1
Voltage, Supply10V
Voltage, Vds Max60V
Width, External6.5mm


BSP75N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры BSP75N

Наименование BSP75N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 161118
Корпус
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Аналоги BSP75N, доступные на складе

  • Изображение  BSP75NHUMA1

    BSP75NHUMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Automotive Smart Low-Side Switch | HITFET™, N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection functions. Возм…

Изображения BSP75N

BSP75N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) BSP75N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
39,20 руб
от 88 шт. 33,60 руб
от 191 шт. 30,90 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом