Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SI4466DY-T1-E3, Vishay Intertechnology Inc.

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds20V
Continuous Drain Current, Id13.5A
On Resistance, Rds(on)9mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs4.5V
Package/Case8-SOIC


Параметры SI4466DY-T1-E3

Наименование SI4466DY-T1-E3
Производитель Vishay Intertechnology Inc. (VISHAY)
Артикул 160622
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Рассеиваемая мощность
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом