Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFI530N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N FULLPAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.108ohm
Case StyleTO-220 Fullpak
Current, Idm Pulse60A
Pins, No. of3
Power Dissipation33W
Power, Pd33W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Isolation2.5kV
Voltage, Vds Max100V


IRFI530N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFI530N

НаименованиеIRFI530N
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул159241
Rds(on) @ Vgs
Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Корпус

Аналоги IRFI530N, доступные на складе

  • Изображение  IRFI530NPBF

    IRFI530NPBF
    INFIN

    MOSFET, N, FULLPAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:11A; Resistance, Rds On:0.108ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220FP; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:60A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
43,70 руб
от 31 шт. 38,30 руб
от 100 шт. 32,80 руб
от 200 шт. 30,10 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом