Терраэлектроника

STN1NK60Z, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 250 мА
Rси(вкл) 15 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 4.9 нКл


Параметры STN1NK60Z

НаименованиеSTN1NK60Z
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул156636
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Документация для STN1NK60Z

Аналоги STN1NK60Z, доступные на складе

  • Изображение  PBSS4350T.215

    PBSS4350T.215
    NXP

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  STS1NK60Z

    STS1NK60Z
    ST

    MOSFET силовой транзистор - Тип: N; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 2 Вт

  • Изображение  NSS60601MZ4T1G

    NSS60601MZ4T1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    6.0 A, 60 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor

  • Изображение  STN1HNK60

    STN1HNK60
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 400 мА; Rси(вкл): 8.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 7 нКл

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
13,50 руб
от 104 шт. 12,00 руб
от 304 шт. 10,50 руб
от 661 шт. 9,50 руб
Наличие на складе
12475 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом