Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

STN1NK60Z, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 250 мА
Rси(вкл) 15 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 4.9 нКл


Параметры STN1NK60Z

НаименованиеSTN1NK60Z
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул156636
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

Документация для STN1NK60Z

Аналоги STN1NK60Z, доступные на складе

  • Изображение  IPN60R3K4CEATMA1

    IPN60R3K4CEATMA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N-CH, 600V, 2.6A, SOT-223-3

  • Изображение  NSS60601MZ4T1G

    NSS60601MZ4T1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    6.0 A, 60 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor

  • Изображение  PBSS4350T.215

    PBSS4350T.215
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  STN1HNK60

    STN1HNK60
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 400 мА; Rси(вкл): 8.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 7 нКл

  • Изображение  STS1NK60Z

    STS1NK60Z
    ST

    MOSFET силовой транзистор - Тип: N; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 2 Вт

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
13,00 руб
от 104 шт. 11,30 руб
от 302 шт. 9,70 руб
от 657 шт. 8,90 руб
Наличие на складе
12309 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом