Терраэлектроника

STN1NK60Z, STMicroelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 600 В
Iс(25°C) 250 мА
Rси(вкл) 15 Ом
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 4.9 нКл


Параметры STN1NK60Z

НаименованиеSTN1NK60Z
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул156636
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Документация для STN1NK60Z

Аналоги STN1NK60Z, доступные на складе

  • Изображение  STN1HNK60

    STN1HNK60
    ST

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 400 мА; Rси(вкл): 8.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 7 нКл

  • Изображение  PBSS4350T.215

    PBSS4350T.215
    NEX-NXP

    Склад (1-2 дн)

  • Изображение  STS1NK60Z

    STS1NK60Z
    ST

    MOSFET силовой транзистор - Тип: N; Iс(25°C): 250 мА; Rси(вкл): 15 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 2 Вт

  • Изображение  NSS60601MZ4T1G

    NSS60601MZ4T1G
    ONS

    6.0 A, 60 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
13,50 руб
от 102 шт. 12,00 руб
от 295 шт. 10,00 руб
от 642 шт. 9,10 руб
Наличие на складе
20152 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом