Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC30S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max34A
Voltage, Vce Sat Max1.6V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed68A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max590ns
Time, Rise18ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC30S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30S

Наименование IRG4BC30S
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 156495
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC30S, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом