Терраэлектроника

BAS321.115, NXP SEMICONDUCTORS

Диод: 250 В, 0.25 А,


BAS321.115, NXP SEMICONDUCTORS

Параметры BAS321.115

НаименованиеBAS321.115
ПроизводительNXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул154939
Корпус
Прямое напряжение
Прямой ток диода (средний)
Кол-во диодов в корпусе
Макс. обратное напряжение диода
Кол. диодов в корпусе
Uобр макс, В
Iпр пост, А
Uпр, В
tвосс, нс
Ток Ifsm Макс
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Серия

Аналоги BAS321.115, доступные на складе

  • Изображение  BAS21HT1G

    BAS21HT1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    250 V Switching Diode High Voltage

Изображения BAS321.115

BAS321.115, NXP SEMICONDUCTORS BAS321.115, NXP SEMICONDUCTORS
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1,90 руб
от 800 шт. 1,70 руб
от 2300 шт. 1,40 руб
от 5000 шт. 1,30 руб
Наличие на складе
28966 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом