Терраэлектроника

MMBF170LT1G, On Semiconductor

MOSFET, N, 60V, SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont0.5A
Resistance, Rds On5ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ3V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Power, Pd0.225W
Voltage, Vds Max60V


MMBF170LT1G, On Semiconductor

Параметры MMBF170LT1G

НаименованиеMMBF170LT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул153909
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги MMBF170LT1G, доступные на складе

  • Изображение  2N7002

    2N7002
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 200 мА; Rси(вкл): 5 Ом; @Uзатв(ном): 3...6 В; Qзатв: 1.4 нКл

  • Изображение  2N7002

    2N7002
    FAIR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.3A; Resistance, Rds On:2.8ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

  • Изображение  2N7002LT1G

    2N7002LT1G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:0.115A; Resistance, Rds On:7.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:2.5V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:0.8A; Depth, External:2.5mm; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:702; Pins, No.…

  • Изображение  STD8N65M5

    STD8N65M5
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 710 В; Iс(25°C): 7 А; Rси(вкл): 0.56 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 25 В

Показать все сопутствующие товары

Изображения MMBF170LT1G

MMBF170LT1G, On Semiconductor MMBF170LT1G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
2,50 руб
от 600 шт. 2,20 руб
от 1700 шт. 1,90 руб
от 3000 шт. 1,70 руб
Наличие на складе
13540 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом