Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4RC10K, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, D-PAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max9A
Voltage, Vce Sat Max2.62V
Power Dissipation38W
Case StyleTO-252
Termination TypeSMD
Current, Icm Pulsed18A
Power, Pd38W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max290ns
Time, Rise24ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4RC10K, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4RC10K

Наименование IRG4RC10K
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 152229
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Изображения IRG4RC10K

IRG4RC10K, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4RC10K, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4RC10K, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
147,00 руб
от 10 шт. 128,00 руб
от 28 шт. 110,00 руб
от 61 шт. 101,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом