Терраэлектроника

IRG4IBC30S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT: 600 В, 18 А


IRG4IBC30S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4IBC30S

НаименованиеIRG4IBC30S
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул152216
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4IBC30S, доступные на складе

  • Изображение  STGF20NB60S

    STGF20NB60S
    ST

    Склад (1-2 дн)

    IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 13 А; Uкэ.нас: 1.7 В

  • Изображение  IRG4IBC30SPBF

    IRG4IBC30SPBF
    INFIN

    Discrete IGBT without Anti-Parallel Diode,

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
172,50 руб
от 9 шт. 151,00 руб
от 25 шт. 129,50 руб
от 50 шт. 118,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом