Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC20FD-S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, D2-PAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max16A
Voltage, Vce Sat Max1.66V
Power Dissipation60W
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Icm Pulsed64A
Marking, SMDIRG4BC20FDS
Power, Pd60W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max290ns
Time, Rise22ns
Voltage, Vceo600V


IRG4BC20FD-S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC20FD-S

НаименованиеIRG4BC20FD-S
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул152205
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

Изображения IRG4BC20FD-S

IRG4BC20FD-S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC20FD-S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC20FD-S, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
196,00 руб
от 7 шт. 172,00 руб
от 20 шт. 147,00 руб
от 50 шт. 135,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом