Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC10KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Current, Ic Continuous a Max9A
Voltage, Vce Sat Max2.39V
Power Dissipation38W
Case StyleTO-220
Current, Icm Pulsed18A
Pins, No. of3
Power, Pd38W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max310ns
Time, Rise32ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC10KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC10KD

НаименованиеIRG4BC10KD
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул152191
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC10KD, доступные на складе

Изображения IRG4BC10KD

IRG4BC10KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC10KD, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
117,00 руб
от 12 шт. 102,00 руб
от 34 шт. 87,00 руб
от 73 шт. 80,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом