Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR1010Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Полевой транзистор. 55V. 91A.


IRFR1010Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFR1010Z

Наименование IRFR1010Z
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 152177
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Vgs для измерения Rds(on)
Rds(on)

Аналоги IRFR1010Z, доступные на складе

  • Изображение  IRFR1010ZPBF

    IRFR1010ZPBF
    INFIN

    MOSFET, N, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:91A; Resistance, Rds On:0.0075ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Idm Pulse:360A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR1010ZPBF; Pins, No.…

  • Изображение  IRFR1010ZTRLPBF

    IRFR1010ZTRLPBF
    INFIN

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantIndustry-leading qualityFast Switching175°C Operating …

  • Изображение  IRFR1010ZTRPBF

    IRFR1010ZTRPBF
    INFIN

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantIndustry-leading qualityFast Switching175°C Operating …

  • Изображение  STD60N55F3

    STD60N55F3
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 55 В; Iс(25°C): 65 А; Rси(вкл): 8.5 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 33.5 нКл

Изображения IRFR1010Z

IRFR1010Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR1010Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR1010Z, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
154,00 руб
от 23 шт. 132,00 руб
от 49 шт. 121,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом